博士后-Y4925B

华润微电子

Wuxi, Jiangsu, China

职位来源于智联招聘。

工作职责：
• 开发出具有高性价比、自由可控的GaO SBD器件结构；
• 完成GaO衬底剥离工艺开发和评估，形成自主可控的衬底转移工艺技术；
• 完成GaO SBD的高耐压终端结构的设计和开发，抑制结边缘的峰值电场；
• 实现GaO增强型场效应晶体管器件结构设计，开发出器件样品；
• 完成GaO SBD和增强型场效应晶体管成品封装及考核筛选机制的建立；
• 完成GaO SBD和增强型场效应晶体管的动态测试和应用方案测试评估体系的建立。

任职资格：

1、博士及以上学历，物理学、微电子学与固体电子学、电子科学与技术等专业

2、氧化镓功率器件方向优秀应届博士毕业生亦可；

3、扎实的专业基础，有器件研发、工艺制造、封装测试、可靠性评价或应用筛选方面的经验或相关学术成果。

以担保或任何理由索要财物，扣押证照，均涉嫌违法。 More Detail

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