ウエハプロセス技術エンジニア（ドライエッチング）

Updated: April 29, 2024 06:08 AM GMT

Renesas Electronics

Hitachinaka, Ibaraki

求人内容

■ 担当技術分野

　　- ドライエッチング技術

■ 対象デバイス

　 - 150mm～200mm（SiCパワーデバイス）

■ 担当業務
• SiCパワーデバイス向けドライエッチング技術開発（装置選定導入/エッチング条件構築）
• Siデバイス向けドライエッチング技術開発（装置選定導入エッチング条件構築等）
• 生産技術開発（生産性改善・歩留まり向上/コストダウン及びBCM推進等）

※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。

資格

【必須要件】

・ドライエッチングプロセス開発/改善業務の経験を有する方

・英語：ビジネスレベル

・日本語：ビジネスレベル

【歓迎要件】

・SiCパワーデバイスのドライエッチング（特にトレンチ形成）における使用設備の導入/評価やプロセス構築経験を有する方

・4年制大学または大学院にて工学、化学、または物理学等を修了しており、半導体工学の知識を有していること

その他の情報

自動運転技術の進展、産業機器のインテリジェンス化、社会インフラの堅牢性の重要化、そしてIoTを実現する次世代通信技術の浸透により、半導体製品の適用・応用範囲は広範に及び、当社製品に対する需要は急速に高まっています。その中で、プロセス加工技術部門は、ルネサスエレクトロニクスのドライエッチング技術やリソグラフィ技術の開発部門として、SiC/Siパワーデバイス・Mixed... More Detail